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氧化镓基光电传感器的研制
理学院
Fabrication of gallium oxide based photodetector
终检评审通过
创新训练
140物理学
其他
校级
氧化镓(β- Ga2O3)是一种超宽禁带半导体材料,禁带宽度为4.9eV,是制备日盲紫外光电器件的理想材料。本项目计划在单晶衬底上外延生长β- Ga2O3薄膜,并通过微加工技术在薄膜上制备电极,并对晶圆进行切割,获得传感器芯片,然后进行封装,获得日盲紫外传感器。通过项目,掌握传感器制备工艺,为传感器的产业化打下良好的基础。预期获得氧化镓日盲紫外传感器,申请专利1项。
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项目负责人
高峰
2019级 理学院 应用物理学
项目成员
安彧龙
2019级 电子工程学院 电子信息类
杨泽耀
2019级 理学院 应用物理学
王林
2019级 理学院 应用物理学
指导老师
李培刚
理学院 教授
通信网络
智能硬件
理论研究-科学技术
评审老师
贺祖国
理学院 教授
数字教育
杨胡江
理学院 教授
理论研究-理学基础
李永
电子工程学院 副教授
理论研究-经管社科
机器人
智能交通
帅天平
理学院 副教授
数字教育
智能制造
理论研究-理学基础
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