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氧化镓基光电传感器的研制

 理学院

Fabrication of gallium oxide based photodetector

氧化镓(β- Ga2O3)是一种超宽禁带半导体材料,禁带宽度为4.9eV,是制备日盲紫外光电器件的理想材料。本项目计划在单晶衬底上外延生长β- Ga2O3薄膜,并通过微加工技术在薄膜上制备电极,并对晶圆进行切割,获得传感器芯片,然后进行封装,获得日盲紫外传感器。通过项目,掌握传感器制备工艺,为传感器的产业化打下良好的基础。预期获得氧化镓日盲紫外传感器,申请专利1项。

项目分数

项目信息

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项目负责人

高峰2019级 理学院 应用物理学

项目成员

安彧龙2019级 电子工程学院 电子信息类

杨泽耀2019级 理学院 应用物理学

王林2019级 理学院 应用物理学

指导老师

李培刚理学院 教授

评审老师

贺祖国理学院 教授

杨胡江理学院 教授

李永电子工程学院 副教授

帅天平理学院 副教授

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该项目暂无荣誉
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