终检评审通过 创新训练 140物理学 理论研究-科学技术校级

当今信息时代的发展正是基于晶体管和集成电路的研究与应用。其中最核心的部分之一是半导体器件的发展。而”摩尔定律“预测了信息技术进步的速度。近年来，由于原来的硅材料的低载流子迁移率特性极大地限制了微电子器件的发展，导致半导体芯片越来越难按照“摩尔定律”更新换代。为了解决这一问题，“后摩尔时代”的微电子器件研究更多转向开发可代替硅材料的新材料及新结构器件。镓化锑（GaSb）材料由于具有III-V族半导体中最高的空穴迁移率，被认为是未来为电子电路中替代硅的最佳材料。该项目立足于GaSb材料，利用高性能计算机，通过对不同层材料的场效应管进行量子输运模拟，研究其电学性质。