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基于氮化镓和石墨烯的高灵敏紫外光电探测器

 电子工程学院

Highly sensitive UV photodetectors based on GaN(Gallium Nitride)and graphene materials

本项目提出一种石墨烯与AlGaN复合结构紫外光电探测器结构, 基于AlGaN材料强极化体系和石墨烯材料高透光性、超高载流子迁移率特性,引入有效的电流放大机制,使该种探测器的响应度不依赖AlGaN 层厚度和AlGaN的材料质量,从而具备实现高灵敏深紫外探测器件的可能性。 本项目的具体研究内容主要包括以下几个方面:1)石墨烯与AlGaN之间界面态性质的研究2)石墨烯与AlGaN 复合结构深紫外探测器结构设计和器件制备3)石墨烯与AlGaN 复合结构深紫外探测器的测试和分析

项目分数

项目信息

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项目负责人

高金辉2017级 电子工程学院 电子科学与技术

项目成员

胡宇轩2017级 电子工程学院 电子科学与技术

王志通2017级 电子工程学院 电子科学与技术

李叶豪2017级 电子工程学院 电子科学与技术

指导老师

胡安琪电子工程学院 讲师

评审老师

崔岩松电子工程学院 教授

高英电子工程学院 副教授

亓丽梅电子工程学院 教授

张琦电子工程学院 教授

该项目暂无荣誉
邮箱:buptwin@bupt.edu.cn;传真:010-62285134;电话:010-62281946;地址:北京邮电大学教一楼323; 邮编:100876
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