基于氮化镓和石墨烯的高灵敏紫外光电探测器
电子工程学院
Highly sensitive UV photodetectors based on GaN(Gallium Nitride)and graphene materials
本项目提出一种石墨烯与AlGaN复合结构紫外光电探测器结构, 基于AlGaN材料强极化体系和石墨烯材料高透光性、超高载流子迁移率特性,引入有效的电流放大机制,使该种探测器的响应度不依赖AlGaN 层厚度和AlGaN的材料质量,从而具备实现高灵敏深紫外探测器件的可能性。
本项目的具体研究内容主要包括以下几个方面:1)石墨烯与AlGaN之间界面态性质的研究2)石墨烯与AlGaN 复合结构深紫外探测器结构设计和器件制备3)石墨烯与AlGaN 复合结构深紫外探测器的测试和分析